授業計画 | テーマ | 内 容 |
第1回目 | 授業計画および電子デバイスの略史（1） | 全体の授業計画の説明と、無線通信の初期から真空管の出現に至る歴史の前半を概観する |
第2回目 | 電子デバイスの略史（2） | 量子力学の発展と半導体デバイスが出現する歴史の後半について概観する |
第3回目 | 半導体の入門 | 原子、水素モデル、エネルギー帯、電子と正孔、ｐ形半導体とｎ形半導体、重要な物理定数 |
第4回目 | 半導体結晶の物理 | 半導体の結晶構造、真性半導体、不純物半導体、不純物の添加 |
第5回目 | キャリヤの発生と伝導 | 少数キャリヤ、多数キャリヤ、キャリヤの拡散、キャリヤのドリフト |
第6回目 | pn接合 | 空乏層の発生、pn接合内の電位分布、各キャリヤの濃度 |
第7回目 | pn接合を流れる電流 | 外部バイアスによる変化、少数キャリヤの注入、pn接合電流の導出 |
第8回目 | pn接合のブレークダウン、金属・半導体接合 | トンネル効果、なだれ増倍、金属と半導体の接合と整流作用 |
第9回目 | pn接合の関連デバイス | レーザ、発光ダイオード、光センサ、定電圧ダイオード、可変容量ダイオード、スイッチング用ダイオード、トンネル・ダイオード、ほか |
第10回目 | バイポーラ・トランジスタ | トランジスタ製造法の歴史、バイポーラ・トランジスタのバンド図と動作原理、増幅作用、等価回路とhパラメータ、各種接地回路 |
第11回目 | 同上 | 同上 |
第12回目 | MOSデバイス | MOSデバイスの源流、MOS構造の基本、JFET、MOSFET、Eタイプ、Dタイプ、CMOS、集積デバイスの基礎、各種メモリ素子 |
第13回目 | 同上 | 同上 |
第14回目 | エネルギー変換デバイス | 光電変換デバイス、太陽電池の原理と動作 |
第15回目 | 総合評価 |  |