授業計画 | テーマ | 内 容 |
第1回目 | 電子デバイスの略史 | 半導体デバイスの出現に至る歴史を概観する |
第2回目 | 固体電子デバイスの基礎知識 | エネルギー帯、電子と正孔、ｐ形半導体とｎ形半導体、キャリヤ濃度、電流成分、小数キャリヤ、ｐｎ接合などの基本事項 |
第3回目 | 同上 | 金属－半導体接合、アモルファス半導体、超伝導とジョセフソン効果、磁性体 |
第4回目 | 半導体デバイスの製造技術 | 結晶成長、不純物拡散、イオン注入 |
第5回目 | 同上 | プレ－ナ技術、微細加工技術、エピタキシャル成長 |
第6回目 | ダイオード・トランジスタ | 各種ダイオード・トランジスタの構造と動作原理、ベース接地、エミッタ接地、電流伝送率など |
第7回目 | 同上 | 等価回路、２端子対回路、高周波特性、トランジスタの高性能化など |
第8回目 | 発光･受光デバイス | レーザ･ダイオード、発光ダイオード、フォト･ダイオード |
第9回目 | 同上 | アバランシェ･ダイオード、その他の受光デバイス、光ファイバ通信と発光･受光デバイス |
第10回目 | 機能デバイス | マイクロ波機能デバイス、表面弾性波デバイス、静磁波デバイス |
第11回目 | 同上 | クライオ･エレクトロニック･デバイス、各種センサ(温度、赤外線、光、圧力、ガス、味ほか） |
第12回目 | 集積デバイス | 集積デバイスの基礎、アナログICと論理回路 |
第13回目 | 同上 | デジタル論理IC、メモリIC、撮像デバイス（CCDほか） |
第14回目 | エネルギー変換デバイス | 光電変換デバイス、光－化学エネルギー変換デバイス、熱電変換デバイス |
第15回目 | 総合評価 |  |