授業計画 | テーマ | 内 容 |
第1回目 | 電子デバイスの略史 | 半導体デバイスの出現に至る歴史を概観する |
第2回目 | 半導体の基礎 | エネルギーバンド、電子と正孔、ｐ形半導体とｎ形半導体、キャリヤ濃度、電流成分、小数キャリヤなどの基本事項 |
第3回目 | 同上 | 同上 |
第4回目 | ｐｎ接合 | 接合のバンド構造、電圧・電流特性、空乏層、静電容量、ブレークダウン |
第5回目 | 同上 | 同上 |
第6回目 | バイポーラトランジスタ | 構造と動作原理、ベース接地、エミッタ接地、電流伝送率、等価回路、２端子対回路、高周波特性、サイリスタ |
第7回目 | 同上 | 同上 |
第8回目 | ＭＯＳデバイス | ＭＯＳ構造の特性、ＭＯＳＦＥＴの電流・電圧特性、等価回路、ＭＯＳＦＥＴの種類 |
第9回目 | 同上 | 同上 |
第10回目 | 光電変換デバイス | 光電効果、太陽電池、発光ダイオード、半導体レーザ |
第11回目 | 同上 | 同上 |
第12回目 | デバイス製作プロセス | プレーナプロセス、成膜、露光、エッチング、不純物ドーピング、化合物半導体 |
第13回目 | 集積回路 | 集積回路の歴史、概念、種類、バイポーラ集積回路、ＭＯＳ集積回路などの入門事項 |
第14回目 | 半導体ﾃﾞﾊﾞｲｽの信頼性 | 半導体デバイスの信頼性、各種の規格について |
第15回目 | 総合評価 |  |